南亚科技加码AI内存研发 2026年或迎突破性进展

   日期:2025-06-22     来源:本站    作者:admin    浏览:63    
核心提示:  台湾内存企业南亚科技近期在AI DRAM领域加速布局,试图在竞争激烈的HBM市场中寻找突破口。面对三星、SK海力士和美光三大原厂

  台湾内存企业南亚科技近期在AI DRAM领域加速布局,试图在竞争激烈的HBM市场中寻找突破口。面对三星、SK海力士和美光三大原厂的强势竞争,南亚科技希望通过定制化产品赢得市场份额。这一战略调整显示出台湾企业在全球内存市场中的差异化竞争思路。

  南亚科技总经理李培瑛指出,AI应用内存有四大关键技术要素。首先是高密度先进DRAM技术,其次是3D TSV硅通孔工艺与多芯片封装技术,第三是HBM设计能力,最后是逻辑base Die技术。目前公司已完成高密度DRAM技术部署,正与补丁科技、福懋科技合作推进TSV和封装技术。

  

  在HBM设计和逻辑制程方面,南亚科技计划通过战略投资与合作来实现突破。公司预计其定制化DRAM项目最快可在2026年完成验证,并在2026年底至2027年开始贡献业绩。这一时间表显示出公司在技术研发上的务实态度。

  当前市场环境对南亚科技来说既是挑战也是机遇。由于三大原厂减产DDR3和DDR4产品,南亚科技正承接部分转单需求。同时,在市场提前备货的趋势下,公司有望在三季度完成库存清理,并在四季度实现扭亏为盈。这一系列举措显示出南亚科技在应对市场波动时的灵活策略。

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