【编者按】在人工智能浪潮席卷全球的当下，算力之争已进入白热化阶段。作为AI芯片的霸主，英伟达的一举一动都牵动着整个产业链的神经。近日，一则关于英伟达提前探路16层高带宽内存的消息，犹如一颗投入平静湖面的石子，在半导体界激起千层浪。这不仅是技术路线的又一次超前押注，更是一场关乎未来AI算力制高点的卡位赛。三星、SK海力士、美光等存储巨头被迫提前开跑，在摩尔定律逼近极限的战场上，展开了一场没有硝烟的“层叠”战争。这场竞赛的背后，是AI发展对内存性能永无止境的渴求，也是全球供应链在技术悬崖边的又一次极限跳跃。谁能率先突破16层HBM的技术壁垒，谁就可能握住下一代AI加速器的命门。以下是详细报道。

　　英伟达加速AI路线图，三星、SK海力士、美光竞相满足更严苛的技术要求

　　据报道，英伟达已开始试探全球AI内存供应链的极限，其释放出对16层高带宽内存的兴趣，并要求最早在2026年底交付。此举迫使三星电子、SK海力士和美光科技卷入一场竞赛，以满足下一代AI加速器的需求。

　　据行业消息人士透露，英伟达近期已询问主要内存供应商，能否在2026年第四季度交付16层HBM。讨论仍处于探索阶段，尚未签署合同，但这已触发了供应商内部围绕开发时间表、良率目标和初始产量的规划。

　　一些供应商预计，性能评估将在2026年第三季度前开始。

　　此次询盘正值英伟达准备扩大12层HBM4（当前供应商资格认证的重点）产量之际。消息人士称，向16层的迈进正在提前推动代际转换，甚至早于12层HBM4在2026年初实现全面商业推广的计划。尽管最终规格和时机可能使其命名变为HBM4E，但16层产品预计仍将归类为HBM4。

　　“英伟达升级其GPU的速度非常激进，HBM也必须以同样的速度前进，”韩国半导体产业协会执行副会长、SK海力士前员工安基贤表示。“如果内存性能跟不上，即使是更高性能的GPU也会失去意义。”

　　“从12层过渡到16层，在技术上比从8层到12层要困难得多，”安基贤说。“到那时，不仅仅是增加层数。在许多情况下，制造工艺本身也必须改变。”

　　行业预估显示，实现16层HBM需要将晶圆厚度减薄至30微米左右，而当前12层设计约为50微米。全球半导体标准组织JEDEC将HBM4封装厚度上限设定为775微米，这给通过传统方法进一步微缩留下了有限的空间。

　　这些限制将键合技术置于此次转型的核心。三星电子和美光目前依赖热压键合，而SK海力士则使用其批量回流模塑底部填充工艺。

　　三星已表示，正考虑从其第七代16层HBM4E开始引入混合键合技术。

　　“三星早早专注于混合键合，是因为它在当前基于粘合剂的技术上难以匹敌竞争对手，”安基贤说。“SK海力士则在掌控自己的节奏。它正在开发混合键合作为备用方案，同时力求尽可能长时间地最大化其行业领先的MR-MUF技术。”

　　尽管焦点前瞻，近期市场仍以HBM3E为主锚。LS证券的分析师估计，HBM3E在2026年将占HBM总产量的66%，虽低于今年的87%，但仍占明显多数。

　　竞争的转折点预计将随着英伟达下一代AI加速器“鲁宾”的发布而到来，该产品计划于2026年下半年发布。每个鲁宾处理器预计将使用八个HBM4堆栈。

　　三星近期在英伟达的HBM4系统级封装测试中获得了积极反馈。与此同时，SK海力士已经建立了HBM4量产框架，并一直在向英伟达供应付费样品。