编者按：在人工智能浪潮席卷全球的当下，高性能内存已成为决定算力上限的关键战场。近日，英伟达为其下一代Vera Rubin AI加速器规划了HBM4内存的双轨战略，这一动向不仅将重塑AI内存市场的竞争格局，更凸显出技术迭代速度与产能规模的双重博弈。韩国两大巨头——凭借尖端制程实现速度突破的三星，与依靠成熟产能稳居主导地位的SK海力士——正分别卡位高端与主流市场，上演一场“唯快不破”与“以量为王”的精彩对决。随着AI芯片竞争白热化，性能指标正超越单纯量产能力，成为决定市场话语权的核心要素。这场内存行业的巅峰之战，或将重新定义未来AI基础设施的竞争规则。

　　鲁宾平台即将面世：三星强化速度优势，SK海力士稳坐产能王座

　　业界消息人士周四透露，英伟达正考虑为其即将推出的Vera Rubin AI加速器采用高性能内存（HBM）的双轨供应策略。这一举措可能进一步巩固三星电子和SK海力士在全球人工智能内存领域的顶尖地位。

　　根据拟议的“双轨”架构，HBM4芯片将被划分为两个性能层级。高端鲁宾系统将采用运行速度高达每秒11.7千兆位的内存，而中端版本将部署运行速度约为10 Gbps的芯片。

　　该策略既反映了AI需求的爆炸性增长，也凸显出供应商之间不断扩大的技术差距——这使得韩国两大内存巨头牢牢占据了价值最高的市场板块。

　　业界普遍预期三星将打入英伟达顶级性能层级。其近期已投入量产的HBM4速度可达11.7 Gbps，比联合电子设备工程委员会设定的8 Gbps基准高出46%。该公司还是首家将第六代10纳米级（1c）DRAM技术应用于HBM的厂商，宣称已实现稳定良率，并暗示未来速度可提升至13 Gbps。

　　此举标志着三星在经历上一代HBM竞争滞后后实现显著反弹。通过将基于1c制程的HBM4定位在英伟达高端产品线，该公司正在重夺AI内存竞赛的技术领导地位。

　　目前占据HBM市场主导地位、且是英伟达前几代产品主要供应商的SK海力士，预计将为鲁宾平台供应约三分之二的HBM4芯片。其基于第五代10纳米级（1b）DRAM打造的HBM4性能超越Jedec标准，很可能与美光共同支撑英伟达的主流产品线。

　　即使在双轨架构下，SK海力士仍是英伟达产能战略的核心，这凸显了其在HBM生态系统中根深蒂固的主导优势。

　　定价体系预计将强化这一层级格局。三星顶级HBM4单价可能达到700美元左右——比HBM3E高出约20%至30%——而SK海力士的HBM4去年报价在500美元中段区间。英伟达预计将相应调整加速器定价，以应对内存成本上涨。

　　市场研究机构TrendForce在2月13日指出，英伟达很可能从三星、SK海力士和美光采购HBM4，并强调没有任何单一供应商能满足鲁宾平台的全部需求。该机构预测，三星的HBM市场份额将从去年的20%升至今年的28%，缩小与SK海力士的差距。

　　行业观察家表示，英伟达的策略凸显了AI芯片市场更广泛的转变：性能指标正日益超越纯粹的规模化生产竞争。

　　“随着AI加速器竞争加剧，内存的性能要求正变得比生产良率更为关键，”一位行业官员表示。

　　另一位业界人士指出，市场近期对大规模量产竞赛的关注可能放缓，技术竞争力将在决定市场影响力方面发挥更大作用。

　　在内存价格上涨的背景下，三星和SK海力士的盈利增长势头预计将持续全年。全球投资银行摩根士丹利预测，三星今年营业利润将达到245.7万亿韩元（约1890亿美元），SK海力士将达到179.4万亿韩元，同比增幅分别达464%和280%。