IntelliWeave的专利数字公司控制与高功率GaNSafe?和Gen 3-Fast SiC mosfet相结合，使PFC峰值效率达到99.3%，与现有解决方案相比，功率损耗降低30%

　　Navitas全新的“IntelliWeave”控制技术使下一代人工智能数据中心的效率超过99%

　　广告

　　加利福尼亚州托伦斯，2024年10月18日（GLOBE NEWSWIRE）——在本月的IEEE能源转换大会和博览会（ECCE）上，新一代GaN fast?氮化镓（GaN）和GeneSiC?碳化硅（SiC）功率半导体的行业领导者Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）将向与会者介绍“IntelliWeave”——一种创新的专利数字控制技术，用于提高下一代AI数据中心电源（PSU）效率。

　　在人工智能（AI）和基于云的应用程序处理需要越来越多的能源的世界中，最大限度地减少功耗已成为数据中心架构师和运营商的首要任务。将下一代GaN和SiC半导体与新的控制技术策略结合起来进行功率转换是实现这一目标的关键。

　　IntelliWeave新颖的数字控制能够实现最高的系统效率，具有精确的电流共享，超快速的动态响应和最小的相位误差。专利双环和双前馈交错控制在全负载范围内实现绝对零电压开关（ZVS），以实现最高效率。与现有的连续传导模式（CCM）解决方案相比，临界传导模式（CRM）交错图腾柱功率因数控制（PFC）的数字控制可将功率损耗降低30%。数字控制与高功率gan安全功率ic相结合，已在500 kHz基于gan的交错3.2 kW CrM PFC PSU上得到验证，其峰值效率为99.3%，包括EMI滤波器损耗。

　　IEEE ECCE 2024将于10月20日至24日在亚利桑那州凤凰城举行，以行业驱动和面向应用的技术会议为特色，汇集了实践工程师、研究人员和其他专业人士，就能源转换相关各个领域的最新进展进行互动和多学科讨论。

　　广告

　　陶伟主任将于10月21日星期一下午5点30分在博览大厅发表“基于gan的CrM交错TP PFC的新型数字控制”。

　　欲了解更多，请访问www.navitassemi.com

　　一个布特Navitas

　　Navitas Semiconductor （Nasdaq: NVTS）成立于2014年，是全球唯一一家专注于新一代功率半导体的公司。GaNFast?功率ic集成了氮化镓（GaN）电源和驱动器，具有控制，传感和保护功能，可实现更快的充电，更高的功率密度和更大的节能。互补的GeneSiC?功率器件是优化的高功率、高电压和高可靠性碳化硅（SiC）解决方案。重点市场包括电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、数据中心、移动和消费者。Navitas已发布或正在申请的专利超过250项。Navitas提供业界第一个也是唯一一个20年的GaNFast保修，是世界上第一家获得CarbonNeutral?认证的半导体公司。

　　广告

　　Navitas Semiconductor、GaNFast、GaNSense、GaNSafe、GeneSiC和Navitas徽标均为Navitas Semico的商标或注册商标电感有限公司及其附属公司。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是商标或注册商标，用于识别其各自所有者的产品或服务。

　　有限公司接触信息:

　　Llew Vaughan-Edmunds，产品管理和营销高级总监

　　(电子邮件保护)

　　广告

　　Stephen Oliver，投资者关系副总裁

　　(电子邮件保护)

　　此公告附带的照片可在https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/760d01d3-fd69-40d5-9bae-c3ef2712c184上获得

　　广告

　　广告