韩美半导体公司于9日宣布，正积极布局应对将于2029年全面投入量产的混合键合技术需求。

　　韩美半导体计划在今年内推出用于下一代HBM生产的“第二代混合键合机”原型，并与客户开展合作。此外，公司正筹备于明年上半年启动混合键合机工厂的运营。

　　韩美半导体混合键合机工厂鸟瞰图（图片来源：韩美半导体）

　　此前，韩美半导体早于竞争对手，在2020年便发布了“第一代HBM生产用混合键合机”，积累了核心技术及验证经验。第二代设备集成了第一代的开发经验和原创技术，在纳米级精度、工艺稳定性和良率等方面实现了全面提升。

　　同时，韩美半导体正与国内多家半导体设备企业在混合键合相关的等离子体、清洗及沉积技术领域展开紧密合作。

　　混合键合是一种直接将芯片与晶圆间的铜布线进行键合的技术。它通过去除原有的焊料凸块，在降低封装厚度的同时，提升了散热性能与数据传输速度，因此成为20层以上高堆叠HBM的必备技术。

　　韩美半导体也在加速下一代设备生产的基础设施建设。自去年起，公司在仁川广域市西区朱安国家产业园投资总计1000亿韩元，建设总面积4415坪（约14570.84平方米）、地上两层的混合键合机工厂，目标于明年上半年竣工。

　　工厂内部将配备与半导体前道工艺相当的最高标准“100级”洁净室。该洁净室采用先进空调技术，能将空气中尘埃从顶部推至底部，并在墙面和地板即时吸除，从而打造出适合纳米级超精密工艺的洁净环境。

　　韩美半导体计划巩固其作为TC键合机行业供应领导者的地位。随着国际半导体标准组织（JEDEC）正考虑将HBM封装高度标准从原有的775μm放宽至900μm左右，混合键合技术预计将在2029至2030年左右迎来大规模量产。

　　在此之前，韩美半导体将于今年下半年推出扩大HBM芯片面积的“宽幅TC键合机”，以应对市场需求。“宽幅TC键合机”能够稳定增加TSV（硅通孔）数量和I/O（输入/输出接口）数量，从而相比以往技术实现内存容量与带宽的扩展。

　　与此同时，韩美半导体计划采取“双轨”战略，在通过TC键合机保持稳定收益的同时，持续提升混合键合机的工艺完善度。

　　韩美半导体相关人士表示：“我们将HBM用TC键合机领域第一的经验技术应用于HBM用混合键合机技术中。”并补充道：“我们将在客户启动下一代HBM量产之际，及时提供高完备度的设备。”

　　本文由海声网原创发布，未经许可，不得转载！

　　本文链接：http://o.frfey.com/op/3076.html