三星电子与SK海力士携手亮相英伟达年度开发者大会“GTC 2026”，同台秀出下一代内存技术实力，重点展示了包括高带宽内存（HBM）、服务器内存及存储在内的AI基础设施核心组件能力。

　　三星电子自当地时间16日起在美国加州圣何塞的会场设立展位，首次公开了其下一代HBM产品HBM4E的实体芯片。作为第七代HBM，三星计划为其提供每引脚16Gbps的速度和4.0TB/s的带宽。三星表示：“基于通过HBM4量产积累的技术竞争力，我们正加速基于1c DRAM工艺的下一代HBM4E的开发进程。”

　　三星还展示了针对英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”的内存与存储设备。英伟达的“Vera Rubin”不仅采用了三星的HBM4，还集成了三星搭载于中央处理器（CPU）侧的内存模块SOCAM2以及面向服务器的存储设备PM1763。三星在其展位的“英伟达画廊”中将这些组件与英伟达Vera Rubin一同展出。三星电子相关负责人强调：“我们是唯一能够提供连接并供应AI服务器内部各类核心组件的‘全栈解决方案’的企业，而不仅仅是HBM。”

　　SK海力士同样在GTC 2026上以“AI内存聚焦”为主题设立展区，展示了其AI内存技术与产品。展品包括此前已搭载于英伟达图形处理器（GPU）的HBM4和HBM3E等内存产品。此外，还展出了采用SK海力士LPDDR5X的英伟达AI超级计算机“DGX Spark”，以及与英伟达合作开发的液冷eSSD。

　　SK集团会长崔泰源等核心高管亲临GTC现场。SK海力士计划借此机会与全球科技巨头高管会面，交流AI技术进展与基础设施变革趋势，并探讨中长期合作方案。SK海力士表示：“凭借覆盖全AI领域的内存技术实力，我们将与全球伙伴携手，共同塑造AI的未来。”

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